LJA30-2015DK位置控制開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)

LJA30-2015DK位置控制開(kāi)關(guān)技術(shù)參數(shù)

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開(kāi)關(guān)

1、渦流式接近開(kāi)關(guān)

這種開(kāi)關(guān)有時(shí)也叫電感式接近開(kāi)關(guān)。它是利用導(dǎo)電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)接近開(kāi)關(guān)時(shí)，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開(kāi)關(guān)，使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識(shí)別出有無(wú)導(dǎo)電物體移近，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是導(dǎo)電體。

2、電容式接近開(kāi)關(guān)

這種開(kāi)關(guān)的測(cè)量通常是構(gòu)成電容器的一個(gè)板，而另一個(gè)板是開(kāi)關(guān)的外殼。這個(gè)外殼在測(cè)量過(guò)程中通常是接地或與設(shè)備的機(jī)殼相連接。當(dāng)有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí)，不論它是否為導(dǎo)體，由于它的接近，總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化，從而使電容量發(fā)生變化，使得和測(cè)量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開(kāi)關(guān)的接通或斷開(kāi)。這種接近開(kāi)關(guān)檢測(cè)的對(duì)象，不限于導(dǎo)體，可以絕緣的液體或粉狀物等。

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開(kāi)關(guān)

技術(shù)參數(shù)

1、本體材質(zhì)：A.B.S

2、填充物：Epoxy

3、功率：10W

4、開(kāi)關(guān)電壓：100 VDC

5、開(kāi)關(guān)電流：0.5

6、崩潰電壓：

7、負(fù)載電流：1.0A

8、接蝕電阻：100 mΩ

9、絕緣電阻：108Ω

10、釋放時(shí)間：0.1 ms Max

11、感應(yīng)時(shí)間：0.4 ms Max

3、霍爾接近開(kāi)關(guān)

霍爾元件是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開(kāi)關(guān)，叫做霍爾開(kāi)關(guān)。當(dāng)磁性物件移近霍爾開(kāi)關(guān)時(shí)，開(kāi)關(guān)檢測(cè)面上的霍爾元件因產(chǎn)生霍爾效應(yīng)而使開(kāi)關(guān)內(nèi)部電路狀態(tài)發(fā)生變化，由此識(shí)別附近有磁性物體存在，進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)的檢測(cè)對(duì)象必須是磁性物體。

4、光電式接近開(kāi)關(guān)